| 項目 | 描述 | |
| 斷面加工臺 | 平面研磨臺 | |
| 氣源 | 氬氣(Ar) | |
| 加速電壓 | 0-6Kv | |
| 最大研磨速率﹡¹﹡²（硅材質） | 約300μm/h﹡¹﹡² |
約20μm/h﹡³（點） 約2μm/h﹡?（面） |
| 最大樣品尺寸 | 20（W）×12(D)×7(H)mm | Φ50×25(H)mm |
| 樣品移動范圍 | X±7mm,Y0－＋3mm | X0－＋5mm |
| 旋轉角度 | - | 1r/m，25r/m |
| 擺動角度 | ±15°，±30°，±40° | ±60°，±90° |
| 傾斜 | - | 0-90° |
| 氣體流量控制系統 | 流量調節器 | |
| 排氣系統 | 渦輪分子泵(33L/S)+機械泵(50Hz時，135L/min,60Hz時，162L/min) | |
| 儀器外觀尺寸 | 616（W）×705(D)×312(H)mm | |
| 儀器重量 | 主機48kg+機械泵28Kg | |
| 可選附件 | 光學顯微鏡（用于觀測研磨中的樣品） | |
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﹡¹：此研磨速率是對研磨板邊緣處的硅材質的材料研磨至100μm粒度時所獲得的最大深度值 ﹡²：此研磨速率是對硅材質的材料進行研磨兩小時后獲得的平均值 ﹡³：照射角度60°偏心值4mm ﹡?:照射角度0°偏心值0mm |
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